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复位结束值可以是两者之和
 详细说明

  防止芯片背面金属剥落的方法技术领域本发明涉及半导体制造工艺中芯片背面金属化的方法,更具体地说, 涉及一种在半导体制造工艺中防止芯片背面金属剥落的方法。背景技术针对芯片背面金属化的方法有很多,磁控溅射和电子束蒸发是现今最 常用的背面金属化的途径,其工艺都得到了广泛应用。用磁控溅射方法淀积自动化程度高,但是吞吐量相对较低,是0.6iJm以下的理想工艺方法。

  与之相比,采用电子束蒸发的方式具有以下优势:1) 淀积膜纯度高,钠离子污染少;2) 由于蒸发源的仅在表面中心附近气化,没有坩埚的污染;3) 集成工序简单,成本低。和溅射靶材相比,使用电子束蒸发的方式 可以大大降低成本;4) 由于电子束能量可以调节,蒸发速率可控制,同时采用热隔离衬套 可以大大增加蒸发速率,提高硅片产出率.特别适合厚度大于1pm以上的 硅片背面金属淀积工艺。现有的电子束蒸发设备(比如CHA Mark50)多采用手动装卸片,同 时蒸发工艺的工艺腔体很大,并且每轮工艺完成后,需打开工艺腔体,较 易受到各种玷污及净化室内的水汽吸附,对蒸发膜的质量产生影响。另外, 由于设备故障或保养等引入的有机玷污更是对金属膜的质量(特别是金属 膜的粘附性)产生致命的影响。除了玷污以外,应力对于金属与衬底硅以及金属与金属之间的粘附性 也至关重要。

  通常来讲,为了提高金属层和衬底硅之间的接触面积,往往 采用增加硅片背面的粗糙度(roughness),粗糙度越大,金属和衬底硅的 接触面积也越大,但同时机械损伤和应力也会大量增加,从而造成碎片率 上升及硅片变形。与此同时,由于磨片后硅片表面存在大量的硅屑及损伤层,使得淀积后金属膜与衬底之间的粘附力下降产生剥落现象,同时由于应力的存在,有可能随着时间的推移金属膜之间(通常是Ti/Si或Ni/Ag) 之间产生剥落。背面金属层剥落是电子束蒸发淀积背全薄膜最常见也是最 严重的失效形式。

  则复位结束值为复位所需的时钟周期数乘计数步长值的积加上复位计数器的初始状态值;如果复位计数器的初始状态值大于复位所需的时钟周期数乘计数步长值的积,复位结束值可以是两者之和,也可以是复位计数器的初始状态值减去复位所需的时钟周期数乘计数步长值的积。例如,复位计数器的初始状态值是0,复位所需的时钟周期数是10,计数步长值是2,那么复位结束值设置为20;如果复位计数器的初始状态值是15,复位所需的时钟周期数是10,计数步长值是1,那么复位结束值可以设置为5,也可以设置为25。在设置复位结束值的时候需要注意,复位结束值不能等于复位计数器在芯片上电时的初始状态值。在对芯片进行了预先设置之后,可以实施芯片内部的自复位。

  其特征在于,该芯片进一步包括一个自复位单元,用于对外部时钟进行计数、将计数值与预先存储的复位结束值相比较产生自复位信号、并将该自复位信号输出至芯片的功能电路。10.根据权利要求9所述的芯片,其特征在于,所述自复位单元包括:复位计数器,用于对外部时钟进行计数,并将计数值实时发送至比较电路;比较电路,用于将输入的复位计数器的计数值与预先存储在其内部的复位结束值相比较,并输出自复位信号至芯片的功能电路。11.根据权利要求10所述的芯片,其特征在于,所述复位计数器由至少一个芯片内部的寄存器组成。12.根据权利要求9所述的芯片,其特征在于,自复位单元进一步包括一个用于将自复位信号输出至芯片外部的复位信号输出端口。

  至H2SO4和H2O2混合液沸腾,在空气中自然冷却。受热时H2O2分解产生新生氧气,且此时H2SO4和H2O2混合液具有极强的氧化性,在酒精灯加热条件下将堵塞物氧化并溶解,从而疏通芯片微通道。5.将芯片小槽用蒸馏水冲洗后,通道用氮气吹干,用三次蒸馏水清洗,使芯片通道中充满三次蒸馏水,用刀片和湿棉球将芯片表面的火焰灰垢仔细的清除,再用三次蒸馏水将芯片表面及小槽冲洗干净,用氮气吹干。6.将上述芯片放至显微镜下观察,检查芯片全部的微通道,如有渣滓残留,则重复实施步骤5和6,直至无渣滓残留。一般情况下无需重复这些步骤。玻璃芯片微通道的堵塞处用本发明处理后的显微图像(见图2)表明,其堵塞处已疏通。7.将芯片进行电泳实验。


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